硫硒化钼晶体 MoSSe (Molybdänsulfid Diselenid)
晶体尺寸：~6毫米
电学性能：半导体
晶体结构：六边形
晶胞参数：取决于合金成分： a = b = 0,31 -0,33 nm und c = 1,21 -1,29 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶体类型：合成
晶体纯度： ＞99.995%

Röntgenbeugung auf einem entlang der Ebene (001) ausgerichteten MoSSe-Einkristall. XRD wurde bei Raumtemperatur mit einem D8 Venture Bruker durchgeführt. Die 5 XRD-Spitzen entsprechen von links nach rechts (00l) mit l = 2, 4, 6, 8, 10

Pulver-Röntgenbeugung (XRD) eines Einkristalls MoSSe. Die Röntgenbeugung wurde bei Raumtemperatur mit einem D8 Venture Bruker durchgeführt.

Stöchiometrische Analyse eines Einkristalls MoSSe durch Energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDX).

Raman-Spektrum eines Einzelkristalls MoSSe. Die Messung wurde mit einem 785 nm Raman-System bei Raumtemperatur durchgeführt.